用于多层光子集成电路的具有模式限制杆阵列的层间耦合器

一种光子集成电路包括下层中的第一光波导、上层中的第二光波导以及这些波导之间的层间耦合器。耦合器具有被形成和包封在包覆层内的限制杆，该限制杆在光学模式从一个波导过渡到另一个波导时对光学模式进行塑形。在一个实施例中，下波导从标称宽度渐缩到靠近耦合器的窄区段，而上波导从靠近耦合器的窄区段扩展到其标称宽度。形成方法涉及CMOS兼容的工艺，包括沉积波导层、图案化出限制杆以及将它们包封在包层内。本公开为在接近1550 nm波长范围下操作的集成光子器件中的不同竖直水平之间引导信号提供了紧凑的、低损耗的解决方案。