半导体装置及其制造方法

半导体装置（1）具备：沟道层（14）；势垒层（16），设置于沟道层（14）的上方，带隙比沟道层（14）大；p型半导体层（18），设置于势垒层（16）的上方；源极电极（32）以及漏极电极（34），以将p型半导体层（18）夹在中间的方式设置；i型的含Al层（20），设置于p型半导体层（18）的上方，带隙比p型半导体层（18）大，包含Al；i型的不含Al层（22），设置于含Al层（20）的上方，不包含Al；以及栅极电极（30），设置于不含Al层（22）的上方。