半导体器件的制造方法以及等离子体处理方法

本发明提供能够在形成于被蚀刻膜上的成为硬掩模的图案的掩模顶部以及掩模顶部角部周边区域选择性地形成保护膜的技术（半导体器件的制造方法以及等离子体处理方法）。本发明提供一种技术，包括：第一步骤，在形成于被蚀刻膜上的硬掩模形成保护膜；第二步骤，在第一步骤后，相对于硬掩模的上部的保护膜以及硬掩模的侧壁的保护膜选择性地去除形成于被蚀刻膜上且含有碳元素的保护膜；第三步骤，在第二步骤后，在保护膜上形成SiN膜；第四步骤，在第三步骤后，相对于形成于硬掩模的上部的保护膜的SiN膜选择性地去除形成于硬掩模的侧壁的保护膜的SiN膜以及被蚀刻膜上的SiN膜；以及第五步骤，在第四步骤后，对被蚀刻膜进行等离子体蚀刻。