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에피택셜 결함들에 대해 감소된 성장 핵들을 갖는 실리콘 기판을 형성하기 위한 방법들 및 에피택셜 웨이퍼를 형성하기 위한 방법들

发明专利patent.status.granted
§ Ⅰ

卷宗概要

发明人

발코쩨나, 피에트로; 포리니, 마리아; 두치니, 자누스치아

申请日

Dec 29, 2020

公开日

Dec 31, 2025

IPC 分类

C30B 15/20C30B 25/20C30B 29/6

CPC 分类

C30B15/203C30B25/20C30B29/6