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№ KR1029065000000B1
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에피택셜 결함들에 대해 감소된 성장 핵들을 갖는 실리콘 기판을 형성하기 위한 방법들 및 에피택셜 웨이퍼를 형성하기 위한 방법들
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发明专利
patent.status.granted
§ Ⅰ
卷宗概要
申请人
专利申请人记载
发明人
발코쩨나, 피에트로; 포리니, 마리아; 두치니, 자누스치아
申请日
Dec 29, 2020
公开日
Dec 31, 2025
IPC 分类
C30B 15/20
C30B 25/20
C30B 29/6
CPC 分类
C30B15/203
C30B25/20
C30B29/6
外部资源
Google Patents
Espacenet