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№ US20260003263A1发明专利

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MASK PATTERN FORMATION METHOD AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD

A mask pattern formation method includes applying a substance that includes a polymerizable ionic liquid to a substrate, causing a polymerization reaction of the polymerizable ionic liquid for at least a part of the substance that includes a polymerizable ionic liquid to produce a substance that include a polymeric ionic liquid on the substrate, and forming a mask pattern of the substance that includes a polymeric ionic liquid on the substrate by using the substance that includes a polymeric ionic liquid.

❖Tokyo Electron Limited; NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION OKAYAMA UNIVERSITYShin OOWADA; Ryuichi ASAKO; Makoto MURAMATSU; Tsutomu ONO; Takaichi WATANABE§ 1/8 权利要求G3F 1/80, H1L 21/27, H1L 21/30810