理想万里晖半导体设备（上海）股份有限公司

本发明公开太空异质结太阳能电池及其制作方法。所述太空异质结太阳能电池包括单晶硅片，所述单晶硅片的正面上依次形成有第一本征非晶硅层、N型微晶硅层、第一透明导电膜层以及第一电极，所述单晶硅片的反面上依次形成有第二本征非晶硅层、P型微晶硅层、第二透明导电膜层以及第二电极，所述单晶硅片上宽度为0.2mm～0.8mm的边缘区域及侧面上的绒面被抛光去除并且覆盖有氧化硅钝化层。本发明能降低TCO膜去除成本，并且避免干法刻蚀TCO膜导致的离子损伤以及氟残留污染，并且有效去除切割损伤，提高电池及组件的抗弯折能力、电性能及转换效率。