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本公开涉及晶体生长设备及晶体生长方法。在一方面中，提供了一种晶体生长设备，包括：坩埚，用于在其中容置碳化硅原料和籽晶；等离子发生装置，设置于坩埚内，并位于碳化硅原料与籽晶之间，等离子发生装置用于将碳化硅原料受热分解产生的气相组分电离为等离子体；磁场调控装置，设置于坩埚的外部，磁场调控装置用于在等离子体发生装置与籽晶之间的区域产生磁场，以调控等离子体向籽晶的输送。由此，能够减少因气相组分输运不稳定造成的晶体缺陷，从而提高晶体生长的稳定性，以及提升晶体的生长质量和效率。

本公开提供了外延生长用碳化硅衬底及其制备方法、以及碳化硅外延片及其制备方法。在一方面中，提供了一种外延生长用碳化硅衬底的制备方法，该制备方法包括：对碳化硅衬底的表面进行离子注入，以在该表面下方形成损伤区；以及对经过离子注入的碳化硅衬底进行退火，以使损伤区再结晶并形成包括有位错环的缺陷吸杂层。由此，可以显著降低外延层中缺陷的密度，获得晶体质量更优异的碳化硅外延片。