新唐科技日本株式会社

DC‑DC转换器用集成电路（20）包括高侧开关元件（14）、低侧开关元件（15）、控制高侧开关元件（14）和低侧开关元件（15）使得电感器（L1）的输出电压恒定的控制电路（10）、包括n阱区域（22）和p阱区域（23）的p型半导体基板（21）以及电位控制电路（30）。低侧开关元件（15）是包含设置在p阱区域（23）内的n型杂质区域作为源极或漏极的晶体管。电位控制电路（30）在高侧开关元件（14）和低侧开关元件（15）双方非导通的情况下，向n阱区域（22）供给第一电位，在高侧开关元件（14）和低侧开关元件（15）中的一方导通的情况下，向n阱区域（22）供给比第一电位高的第二电位。

半导体装置（1）具备：沟道层（14）；势垒层（16），设置于沟道层（14）的上方，带隙比沟道层（14）大；p型半导体层（18），设置于势垒层（16）的上方；源极电极（32）以及漏极电极（34），以将p型半导体层（18）夹在中间的方式设置；i型的含Al层（20），设置于p型半导体层（18）的上方，带隙比p型半导体层（18）大，包含Al；i型的不含Al层（22），设置于含Al层（20）的上方，不包含Al；以及栅极电极（30），设置于不含Al层（22）的上方。