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一种温控基座以及半导体设备，温控基座中的所述温控结构与所述温控盘热性耦合，用于对所述温控盘进行升温、降温或者恒温控制，温控结构与温控盘之间进行热性耦合，使得温控盘具有双向温度调节能力，能够对承载于其上的晶圆进行灵活的升温、降温或者恒温控制；与此同时，冷却结构与温控结构为热性耦合，用于及时转移温控结构在工作时产生的废热，达到对温控结构降温的目的，使得温控结构不仅能够向温控盘提供热量来加热，也能够从温控盘吸收热量来制冷，从而使温控基座利用单一部件就具备加热与制冷的能力。

一种金属钼膜的选择性沉积方法、沉积设备，方法包括：处理件具有暴露的活性表面和惰性表面，且活性表面和惰性表面之间具有沉积选择比；将处理件置于反应腔室内，进行多次沉积处理步骤，沉积处理步骤包括：载气携带不含氧元素的卤化钼前驱体进入反应腔室，与活性表面发生吸附；卤化钼前驱体与活性表面发生吸附之后，对处理件进行第一吹扫处理；进行第一吹扫处理之后，对反应腔室通入还原性共反应物，将活性表面吸附的卤化钼前驱体还原为金属钼层；还原为金属钼层之后，对反应腔室和处理件进行第二吹扫处理；进行多次沉积处理步骤之后，将多次沉积处理步骤形成的多层金属钼层作为金属钼膜。提高金属钼膜的电导率和形成质量。

一种薄膜的制备方法及半导体制造设备，方法包括：在反应腔室内，提供处理件，处理件具有开口；对处理件进行一次或多次工艺周期，在开口中以及处理件的表面形成薄膜，工艺周期包括：对处理件进行一次或多次沉积处理，使用卤族前驱体在开口的内壁以及处理件的表面形成薄膜材料层；使用与沉积处理相同的卤族前驱体对薄膜材料层进行一次或多次原位刻蚀处理，将开口内壁以及处理表面剩余的薄膜材料层作为子薄膜；将一次或多次工艺周期形成的一层或多层子薄膜作为薄膜。沉积处理和原位刻蚀处理使用相同的卤族前驱体在单一反应腔室内形成薄膜，能够在减少工艺步骤和工艺成本的同时，降低对其他膜层造成损伤的风险，提高薄膜的形成质量。

本发明实施例提供了一种晶圆吸附方法、真空吸附设备及计算机程序产品，其中，所述方法应用于真空吸附设备，包括：获取具有相对的吸附面和功能面的待吸附晶圆；真空吸附其吸附面；向保持真空吸附状态的功能面施加预设流量的目标控压气体，改变吸附面的压力值和功能面的压力值；判断当前次的吸附面的压力值和功能面的压力值是否满足预设压力值条件；该条件基于支持晶圆可贴合吸附的压力值确定；如果是，则提示晶圆吸附成功，完成吸附；如果否，则迭代的执行向保持真空吸附状态的功能面施加预设流量的目标控压气体的步骤，直至满足该条件。本发明实施例提供的技术方案，可提高吸附晶圆时晶圆与真空吸附设备的贴合程度，改善吸附效果。