苏州实验室

本发明涉及探测偏压调度技术领域，公开一种按铣削深度调度探测偏压的方法、装置、设备及介质。方法包括在铣削序列的目标间隔时段，获取当前铣削序列已执行铣削深度的铣削总深度；基于铣削总深度，索引预先标定的偏压调度表，确定与该铣削总深度匹配的目标探测偏压；在目标间隔时段内，将探测器收集栅偏压由当前值切换至目标探测偏压；在目标探测偏压切换完成并达到目标探测偏压后，进入下一次电子束截面成像阶段，并在该截面成像阶段期间保持目标探测偏压不变，以完成电子束截面成像。本方案可优化部署于已交付设备，且可根据铣削进度自适应调整探测偏压，提升了连续铣削成像过程中的信号收集效率和成像质量。

本发明公开了一种光电子离子符合测量装置，涉及X射线光电子、离子探测技术领域，包括电子能量分析器、激发光路组件、样品承载组件、场调控组件以及符合探测组件。激发光路组件包括与分析腔体连通的光束注入通道和光束排出通道；样品承载组件设于分析腔体内，包括样品台以及设于样品台的多自由度样品调节机构；场调控组件包括设于分析腔体内的电场加压件以及设于分析腔体外侧的磁场发生件；符合探测组件安装于电子能量分析器，包括电子探测器和离子探测器。该装置能够对待测样品相对于样品作用区进行位置和姿态调节，提高符合测量的可靠性。