绍兴芯链半导体科技有限公司

本发明涉及光掩膜技术领域，尤其涉及一种聚丙烯酸酯光掩膜底胶及其制备方法，按重量份计，制备原料包括软单体60‑80份、功能单体18‑27份、RAFT链转移剂0.5‑2份、交联剂1‑3份、引发剂0.1‑0.5份、溶剂140‑200份。本发明通过RAFT聚合消除低分子寡聚物，使产物分子量分布收窄至 PDI≤1.2，结合均匀交联网络与界面力平衡设计，使底胶在光刻工艺中附着力优异，使用后可直接整体机械剥离，残胶率≤0.3%，无需超声清洗或等离子体刻蚀，适用于高精度光掩膜制造场景。

本发明涉及空白光罩基板缺陷修复技术领域，尤其涉及一种相位移空白光罩基板缺陷修补方法及修复材料，通过DUV暗场干涉色差定位实现空白基板无标记缺陷分类，在同一密闭腔体内完成凸起铣削、凹坑修补与低温固化，采用双形态修复材料与界面改性助剂实现原位固相晶化。本发明解决了现有技术中定位难、工序割裂、膜层损伤大等问题，实现纳米级缺陷精准修复，修补层与基材光学性能匹配度＞95%，修复工时缩短90%，适用于面板、封装与半导体产业领域。