元の名称記録: 三星电子株式会社; 首尔大学校产学协力团

提供了一种具有单片三维堆叠结构的静态随机存取存储器（SRAM）器件以及包括该SRAM器件的电子装置。SRAM器件包括：第一层级，包括第一晶体管和第二晶体管；第二层级，堆叠在第一层级上并且包括第三晶体管和第四晶体管；以及第三层级，堆叠在第二层级上并且包括第五晶体管和第六晶体管。第一至第六晶体管中的每个包括包含二维半导体材料的沟道层。第五晶体管和第六晶体管中的至少一个的栅极被布置为与第一至第四晶体管中的至少一个的栅极相交。