元の名称記録: 日本电气硝子株式会社

本发明提供一种环境负荷小、在熔融工序中不易失透的半导体元件被覆用玻璃。本发明的半导体元件被覆用玻璃的特征在于，作为玻璃组成，以摩尔％计含有：（SiO+ZnO） 40%~75%、BO0~20%、AlO5%~15%、（MgO+CaO） 8%~22%，并且以摩尔比计，AlO/（SiO+ZnO）为0.2以下，且实质上不含有铅成分。

玻璃板制造装置（1）具备：加工部（3），其包括加工玻璃板（G）的端面（Ga）的磨石（3a）；保持构件（4），其在一端部（4a）保持加工部（3）；轴部（8），其将保持构件（4）支承为能够旋转；以及行走基体（7），其支承轴部（8），加工部（3）构成为在从出发位置（12）出发后进行玻璃板（G）的端面（Ga）的加工，安装于保持构件（4）的配重体（9）在加工部（3）从出发位置（12）出发后伴随着加速而移动到玻璃板（G）的端面（Ga）的加工开始位置（13）的期间起到抑制保持构件（4）绕轴部（8）的旋转运动的作用。

一种玻璃的制造方法，该制造方法具备：第1蚀刻工序S1，利用第1蚀刻液蚀刻玻璃；和第2蚀刻工序S2，在第1蚀刻工序S1后，利用第2蚀刻液蚀刻玻璃。第1蚀刻液在脱水状态下以质量％计包含氢氟酸：30～90％、盐酸：10～70％。第2蚀刻液在脱水状态下以质量％计包含氢氟酸：10～50％、硫酸：50～90％。

本发明提供一种能够提高安全性并且能够使电池在低温下工作的固体电解质前体溶液、固体电解质前体和固体电解质。本发明的固体电解质前体溶液的特征在于，包含碱金属元素、过渡金属元素和碳酸根离子。

本发明的强化玻璃的特征在于，是在表面具有压缩应力层的强化玻璃，所述强化玻璃中，相对于距表面30nm深度处的氢浓度而言的距表面5nm深度处的氢的浓度比为20以上。

玻璃制的盖构件（4）具备板状的框部（7）以及从框部（7）突出的圆顶状的突出部（8）。突出部（8）具有内表面（8a）以及外表面（8b）。突出部（8）具备顶部（13）以及与框部（7）一体地构成的基部（11）。在突出部（8）的内表面（8a）形成有防反射膜（10a）。将形成于突出部（8）的基部（11）的防反射膜（10a）的厚度（Ta1）除以形成于突出部（8）的顶部（13）的防反射膜（10a）的厚度得到的值（Ta1／Ta3）为0.75以上且小于1。