№ CN122995221A発明
不明耐高压终端结构及其制造方法
本发明提供了一种耐高压终端结构及其制造方法,其中,耐高压终端结构包括:N型衬底;外延生长于N型衬底上的N型漂移层;形成于N型漂移层上的场氧层;形成于场氧层上的多晶硅螺旋场板;形成于多晶硅螺旋场板上的层间介质层;以及形成于所述层间介质层上的阴极和阳极;其中,N型漂移层中设置有横向变掺杂的P型区域,多晶硅螺旋场板的配线内由向外呈螺旋状延伸。本发明的目的在于克服现有的缺陷而提供一种耐高压终端结构及其制造方法,以提高终端结构的击穿电压,并降低混合结终端的工艺复杂性。
❖合肥矽普半导体科技有限公司陈志鹏; 高盼盼; 覃源Oct 27, 2026§ 2/20 請求項H10D 62/10 (2025.01), H10D 62/00 (2026.01), H10D 8/60 (2025.01) +5