重庆康佳光电科技有限公司

本发明涉及激光刻蚀技术领域，尤其涉及一种原位监测的激光微纳刻蚀系统与方法，原位监测的激光微纳刻蚀系统包括：真空吸附载台，用于固定待刻蚀样品；激光器单元，位于真空吸附载台的上方；用于发射激光并轰击固定在真空吸附载台上的待刻蚀样品；原子吸收光谱单元，位于真空吸附载台的上方，且随激光器单元同步运动；用于接收待刻蚀样品被刻蚀时产生的原子发射光并形成光谱数据；实时监测与深度控制单元，所述实时监测与深度控制单元与激光器单元和原子吸收光谱单元分别进行电连接；实时监测与深度控制单元用于根据光谱数据对激光器单元的参数进行实时调整。该原位监测的激光微纳刻蚀系统能够实现梯度刻蚀，使刻蚀激光的应用更加广泛。

本发明涉及一种LED芯片结构及其制备方法，属于半导体技术领域。LED芯片结构包括外延片，包括基板和依次层叠设置在基板上的第一半导体层、量子阱层和第二半导体层；电流扩展层，设置在第二半导体层上；第一金属电极，设置在电流扩展层上；第二金属电极，设置在第一半导体层上；第一保护层，用于防止第一金属电极的底部和第二金属电极的底部被氧离子氧化。经过离子源处理的膜层表面性质改变，与其表层金属的结合能力更强，省去Ti、Cr等传统粘附层与Ni扩散阻挡层，消除粘附层、阻挡层材料对光线的吸收损耗，解决因增设粘附层、阻挡层造成芯片发光亮度下降的问题；而且界面结合强度提升，防止发生去除粘附层后打线出现异常的相关问题。