№ CN122923164A发明专利
未知一种铌酸锂薄膜波导结构及其制备方法
本发明涉及一种铌酸锂薄膜波导结构及其制备方法,该铌酸锂薄膜波导结构包括衬底层、缓冲层和铌酸锂层;所述缓冲层设置于所述衬底层,所述铌酸锂层设置于所述缓冲层;其中,所述铌酸锂层包括基体部和突起于所述基体部的脊部,所述脊部的高度为90~130nm;所述铌酸锂层是通过Z切铌酸锂薄膜形成。本发明一种实施方式的铌酸锂薄膜波导结构,制备工艺简单,且具有较低的偏振相关损耗和传输损耗。
❖北京世维通科技股份有限公司贾赫; 王旭阳Oct 16, 2026§ 2/10 权利要求G02B 6/122 (2006.01), G02B 6/13 (2006.01), G02B 6/136 (2006.01)13