원래 이름 기록: 昆山日月同芯半导体有限公司

本发明属于芯片封装技术领域，特别的，属于一种提高晶圆凸块侧壁可靠性的方法。步骤：在晶圆上通过凸块工艺电镀凸块，凸块包括金层、镍层、铜层，铜层侧壁与镍层侧壁之间存在距离，该距离为裸露的间隔区域；在晶圆和凸块表面都涂布光刻胶，形成胶层一，胶层一包括胶层二和胶层三，铜层侧壁和间隔区域上的光刻胶为胶层二，胶层二之外的光刻胶为胶层三；使用空白光罩对整片晶圆表面进行曝光，对胶层三进行改性；曝光后对晶圆进行烘烤，将胶层二固化；显影去除胶层三，留下胶层二；对胶层二进行烘烤固化，最终在铜层侧壁保留一层光刻胶。本发明通过在铜层侧壁上使用光刻胶形成薄膜保护层，避免了铜直接接触空气中的水分和氧气。