元の名称記録: 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司

本发明涉及半导体研磨抛光技术领域，具体涉及一种用于单晶硅片的高效低损伤研磨液，主磨料为金刚石微粉与六水硝酸铈在真空炉内进行真空镀覆制备出金刚石/氧化铈复合主磨料，其中金刚石微粉与氧化铈的质量分数比例为7:3，添加剂为纳米二氧化硅溶胶悬浮液，其余为纯水；纯水、主磨料、悬浮液的质量分数比例为30:10:2；氧化铈在磨削过程中通过化学‑机械耦合作用释放Ce离子，与单晶硅片表面发生氧化还原反应且ΔG<0，降低磨削阻力；并且氧化铈层的自修复机制在高温下形成CeO保护膜，修复金刚石微粉破损棱角。

本发明涉及半导体制造及精密加工技术领域，尤其涉及一种基于差异化修整抛光布工艺优化方法，旨在提高抛光布的修整平整度及盘型精度，从而提升产品加工质量，包括以下步骤：测量上下盘抛光布的厚度，获取上下盘抛光布的当前厚度数据；根据上下盘抛光布的当前厚度数据，结合双面抛光机出厂盘型，分别制定适合上下盘抛光布的修整程序；按照制定的修整程序，先对下盘抛光布进行修整，再对上盘抛光布进行修整；修整完成后，加工一定数量的抛dummy片以确认修整效果，根据dummy片厚度形貌图调整加工参数，确认修整效果合格后，进入试加工阶段，在加工预设量的抛产品后达到正片规格产品的加工水平。

本发明公开了一种针对磨片定盘中沟槽研磨粉的柔性清洁系统及方法，涉及磨片定盘清洁技术领域；而本发明包括工作台，所述工作台的上方设有表面清洁机构,用于对磨片本体表面进行清洁，同时工作台的内部设有对磨片本体进行转动的驱动机构，所述工作台的内部还设有沟槽清洁机构，用于对磨片本体进行深度清洁，同时工作台外侧设有循环机构；本申请通过表面清洁机构与驱动机构配合，驱动机构带动磨片本体转动时，表面清洁机构中的清洁辊可在弹性结构作用下与磨片本体表面贴合，随磨片本体倾斜轨迹自适应调节，持续对磨片本体表面进行清洁，能有效去除磨片本体表面研磨粉，保障磨片本体表面清洁度，提升清洁适配性。

本发明涉及一种改善双面抛光加工硅片厚度形貌倾斜的方法，所属半导体制造技术领域，包括如下操作步骤：第一步：抛光布在修整前进行测布厚。第二步：判断上盘和下盘的抛光布厚度均匀性状态。第三步：对确定的目标抛光布进行针对性修整。第四步：在修整后的抛光设备上加工一枚硅片，并测量抛光硅片的厚度形貌图。第五步，根据抛光硅片的厚度形貌图，调整双面抛光的工艺参数，确认修整效果。第六步，使用调整后的工艺参数进行正式的半导体硅片产品加工。具有操作便捷、主动诊断、精准修整和闭环验证的特点。通过精确测量和修整抛光布的厚度均匀性，从物理根源上纠正了导致硅片厚度倾斜的关键因素，从而显著提升了双面抛光的加工精度和稳定性。