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本发明提供一种非易失性存储器装置及其操作方法。非易失性存储器装置的操作方法，包括：对该非易失性存储器装置进行一动态随机存取存储器(DRAM)模式操作；对该非易失性存储器装置进行一非易失性存储器模式储存操作；以及，于该非易失性存储器装置被断电前，周期性执行一储存操作以将一DRAM数据储存至该非易失性存储器装置。

本发明提供了一种存储器装置及其数据存取方法。存储器装置例如为三维与非式闪存，且提供高性能以及高容量的储存媒介。数据存取方法包括：在读取动作中，施加读取电压至多个选中存储单元，其中选中存储单元分别用以储存多个根据写入数据所产生的多个子数据；以及，感测选中存储单元所产生的至少一读取电流，并根据至少一读取电流以产生读出数据。

本发明提供了一种三维存储器结构及其形成方法。所述三维存储器结构包括衬底、叠层、多个孔洞、多个存储器层、多个外延通道层、和多个介电柱。叠层设置在衬底上。叠层包括多个栅极层和多个介电层彼此交替设置。孔洞贯穿叠层。存储器层分别设置在孔洞的侧壁上。外延通道层分别设置在存储器层上，并落在衬底上。介电柱分别设置在外延通道层所定义的空间中。

本发明提供一种存储器结构、存储器装置及其操作方法。存储器装置包含多个存储器单元。存储器单元包含第一存储器单元。第一存储器单元包含第一晶体管及第一电荷阱晶体管。第一晶体管耦接第一储存节点，并用以依据第一写入字线信号传输第一写入位线信号至第一储存节点。第一电荷阱晶体管用以依据第一电荷阱晶体管的阈值电压电平及第一储存节点的电压电平产生第一电流信号。

本发明提供一种存储装置及其制造方法。存储装置包含基板、第一堆叠结构、第二堆叠结构、至少一晶体管、以及金属绕线层。基板包含阵列区与周边区。第一堆叠结构位于阵列区。第一堆叠结构包含第一导电层、第二导电层及设置于第一导电层与第二导电层之间的绝缘层。第一导电层、绝缘层与第二导电层沿第一方向堆叠。第二堆叠结构位于周边区。至少一晶体管位于第二堆叠结构中。至少一晶体管具有沿第一方向堆叠的导电膜、介电膜和半导体膜。金属绕线层位于第一堆叠结构和第二堆叠结构上方。金属绕线层电性连接至少一晶体管、第一导电层和第二导电层。