原始名称记载: AGC株式会社; AGC硅素技术株式会社

本发明涉及一种表面处理中空二氧化硅，其色谱中的胺的峰面积为理论值的70%以上，对称系数S为8以下。另外，本发明还涉及该表面处理中空二氧化硅的制造方法，其包括对未处理的中空二氧化硅进行表面处理，其中，将该表面处理中使用的硅烷偶联剂的分子量除以该硅烷偶联剂的1分子中所含的Si原子数而得到的值为100~300。

本发明涉及一种表面处理球状二氧化硅，其中值粒径d50为0.5~20μm，BET比表面积A(m/g)与所述中值粒径d50(μm)的乘积A×d50为2.7~5.0(μm·m/g)，色谱中的胺的峰面积为理论值的70%以上，对称系数S为8以下。另外，本发明还涉及一种表面处理球状二氧化硅的制造方法，其包括对未处理的球状二氧化硅进行表面处理，该表面处理中使用的硅烷偶联剂的分子量除以该硅烷偶联剂的1分子中所含的Si原子数而得到的值为100~300。