元の名称記録: 中国工程物理研究院电子工程研究所

本申请公开了多层缠绕复合材料的灌封应力测试装置及测试、确定方法，属于材料应力测试技术领域，应力测试装置包括：内筒、第一端盖、第二端盖、外筒和容器，内筒装有应变测量件和温度测量件；第一端盖和第二端盖分别连接并封闭内筒；内筒和外筒之间的间隔用于填充多层缠绕结构，使多层缠绕结构的内、外侧分别与内筒和外筒接触并受约束。测试方法采用上述测试装置，灌注热固性流体并固化，同步测试。确定方法通过建立应力关系得出计算公式。本申请能够实现对多层缠绕复合材料结构灌封应力的形成过程监测，考虑约束条件对被测材料灌封应力的影响，能够反映不同约束程度下多层缠绕复合材料结构的灌封应力状态，使应力的诊断方法具有更广的使用范围。

本申请涉及电离真空传感器技术领域，公开了一种可片上集成的微型电离真空传感器，包括：半导体基底；位于半导体基底一侧表面的绝缘介质层；位于绝缘介质层背离半导体基底一侧表面的功能层，功能包括阴极焊盘、微尖场发射电子源、阳极和电极；阴极焊盘和阳极相对设置，微尖场发射电子源设于阴极焊盘朝向阳极的一侧表面，微尖场发射电子源靠近阳极的微尖端与阳极之间形成有纳米空气沟道；电极至少用于收集空气电离产生的离子。通过引入纳米空气沟道，缩小极间距离，使得工作电压降低。另外，微尖场发射电子源的微尖端可以引入高场增强效应，可以进一步降低工作电压。

本申请涉及电离真空传感器技术领域，公开了一种微型电离真空传感器和真空计，传感器包括至少一个传感器单元，每个传感器单元包括：掺杂型半导体基底，掺杂型半导体基底的一侧表面设有至少一个凹槽；位于掺杂型半导体基底一侧表面，且在凹槽以外区域的绝缘介质层；位于绝缘介质层背离半导体基底一侧表面的电极层；掺杂型半导体基底和绝缘介质层的界面分布有二维电子气，二维电子气作为场致发射电子源；由凹槽的底部至目标表面之间形成有纳米空气沟道，目标表面为电极层背离绝缘介质层一侧表面所在的表面。通过引入纳米空气沟道，缩小极间距离，使得工作电压降低。另外，二维电子气中电子与电子之间的库仑斥力作用会进一步降低工作电压。

本申请公开了毫米波波束跟踪方法及计算机可读存储介质、节点设备，属于无线通信技术领域，方法包括：在初始时刻，构建波束指向误差区间；下一时刻，通过状态转移方程预测该区间；基于信道模型获取当前波束指向下的信道观测值；对预测的误差区间收缩处理；根据收缩后的区间估计波束指向角，并将此区间作为先验信息传递至下一时刻以重复执行步骤。计算机可读存储介质存储有执行上述方法的计算机程序。节点设备包括：至少一个处理器、存储器、总线，存储器储存有执行上述方法的程序。本申请在不增加计算负载的情况下，能够保持非线性非高斯场景下的跟踪性能，适合于多径、模数转换量化、硬件非线性误差等引入的不确定、不完备信道状态信息的情况。

本申请公开了一种SiC TVS器件的多级刻蚀终端结构及其制作方法，属于电磁脉冲防护器件领域，制作方法包括：在SiC TVS晶圆上基于介质(如氧化硅)或光刻胶的掩膜材质选用第一层光刻掩膜版制备第一级刻蚀掩膜图形；再对SiC材料干法刻蚀，形成第一级SiC刻蚀台面；选用第二层光刻掩膜版重复上述工艺(除掩膜版选取外)，形成第二级SiC刻蚀台面；重复执行，直至完全刻透SiC漂移层，获得阶梯状多级刻蚀SiC台面结构。终端结构采用如上述的制作方法获得。本申请能够在确保终端制作工艺与SiC商用线制程刻蚀工艺完全兼容的情况下，制备出高效高可靠性的SiC TVS器件的终端结构，有助于SiC TVS器件实现量产，并提升器件终端结构的长期电学可靠性。

本申请公开了用于抑制辐照诱生缺陷的碳化硅外延片、制备方法及应用，属于半导体材料技术领域，碳化硅外延片包括：以n型或p型碳化硅片为衬底，衬底上外延生长有IV族原子掺杂的外延层。制备方法包括：将n型或p型碳化硅片进行清洗；将清洗后的碳化硅片置于外延生长设备中并保持真空环境；将真空环境升温，待温度稳定后通入甲硅烷、丙烷、氮气/携带三甲基铝的氢气，以及含锗、锡和铅中至少一者原子的气体；待碳化硅片生长出外延层。应用为采用上述的碳化硅外延片，用于生产抗辐照碳化硅功率器件。本申请能够有效地抑制辐照过程中碳化硅器件中碳空位的产生及由此造成的少子寿命退化，进而提高碳化硅外延片及其功率器件在粒子辐照应用下的可靠性。

本发明公开了一种同时抗总剂量与单粒子效应的反相器，采用主反相器与辅助反相器相结合，且主反相器由两个串联的PMOS管和一个NMOS管组成的结构设计。基于辅助反相器在主反相器NMOS源端提供一个电平补偿信号的方式，避免总剂量效应下的反相器输出高电平下降，及NMOS管受单粒子效应下的反相器输出电平从高到低的瞬态翻转；基于双PMOS结构设计的方式，避免单粒子效应下PMOS管的导通所引起的反相器输出电平从低到高的瞬态翻转。最终可实现总剂量与单粒子系统效应下的反相器稳定输出。