이름 기준 검색 결과이며 법적 주체의 동일성을 확인한 것이 아닙니다. 동명인·조직, 별칭 및 이전 이름을 자동 통합하지 않습니다.

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색인된 특허 기록 1건

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本发明的目的在提供可简易且确实地制造高质量的半导体结晶晶圆的半导体结晶晶圆的制造装置及制造方法。半导体结晶晶圆的一例的SiC晶圆的制造方法包括沟槽加工步骤(STEP100/图1)、引导线形成步骤(STEP110/图1)、切断步骤(STEP120/图1)及磨削加工步骤(STEP130/图1)。

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원래 이름 기록: 得来化学有限公司