无锡卓瓷科技有限公司

本发明涉及碳化硅陶瓷领域，公开了真空吸盘用中等电阻率无压烧结碳化硅陶瓷及其制备方法，该真空吸盘用中等电阻率无压烧结碳化硅陶瓷的制备方法包括以下步骤：取碳化硅粉体、改性碳化硅纳米线、氮化硼粉体、酚醛树脂溶液和酚醛树脂基添加剂球磨混料，混料结束后将混合均匀的浆料置于烘箱内烘干，待粉体干燥后过筛备用；将过筛后的粉料置于模具中，经200~207MPa等静压进行压实获得素坯，将压制好的素坯置于真空管式炉中，置于700℃下保温3h进行碳化处理，将碳化后的坯体置于无压烧结炉中，在氮气分压下烧结1~2h制成，本发明通过改性碳化硅纳米线和酚醛树脂基添加剂的引入有利于提升无压烧结碳化硅陶瓷的力学强度和断裂韧性。

本发明公开了纳米层状YO‑YAG复合抗刻蚀涂层及其制备方法，涉及涂层材料技术领域。本发明提供的纳米层状YO‑YAG复合抗刻蚀涂层的制备方法至少包括以下制备步骤：提供一陶瓷基体；在所述陶瓷基体的一侧交替循环沉积纳米层状YO和纳米层状YAG，获得纳米层状YO‑YAG复合抗刻蚀涂层；其中，所述纳米层状YO‑YAG复合抗刻蚀涂层靠近和远离所述陶瓷基体的一侧为所述纳米层状YO。本发明制备的纳米层状YO‑YAG复合抗刻蚀涂层有效抑制柱状晶生长、减少贯穿孔隙，显著提升抗刻蚀性能。