浙江奥首材料科技有限公司

本发明涉及一种用于先进制程的CMP后清洗液及其制备方法与应用，其中用于先进制程的CMP后清洗液，按照重量份计算包括如下组分：pH缓冲剂1‑10份；螯合剂1‑10份；有机酸1‑10份；缓蚀剂0.01‑0.05份；还原剂0.1‑0.5份；界面渗透剂0.01‑0.05份；超纯水80‑90份。本发明界面渗透剂先渗透低k介质微孔与铜沟槽结构，溶解难溶有机污染物；pH缓冲剂松动铜表面氧化层，中和酸性残留；还原剂选择性还原一价铜氧化物，弱化氧化层与铜基底的结合力；螯合剂络合铜离子与杂质金属离子，彻底溶解剥离复合污染物；缓蚀剂在清洗过程中同步在铜表面形成致密钝化膜，阻断清洗液与铜表面的接触，实现清洗效率与腐蚀控制的动态平衡，最终获得低残留、低损伤的晶圆表面。

本发明提供一种用于Micro‑LED芯片清洗的光刻胶清洗剂及制备方法与应用，所述用于Micro‑LED芯片清洗的光刻胶清洗剂，以质量份计，包括如下组分：季铵碱5‑15份；醇胺20‑50份；极性溶剂45‑75份；N,N'‑二羟基均苯四酸亚胺0.01‑0.1份；山梨醇缩醛衍生物0.1‑1份。本发明用于Micro‑LED芯片清洗的光刻胶清洗剂包括季铵碱和醇胺，并结合N,N'‑二羟基均苯四酸亚胺与山梨醇缩醛衍生物的双重氢键桥接作用，构建了致密稳定的三维氢键网络，有效降低了游离OH和醇胺的有效活度，从而在高温清洗条件下实现对Cu电极的保护，具有超低腐蚀速率。