元の名称記録: 江西乾照半导体科技有限公司; 扬州乾照光电有限公司

本发明提供了一种多结太阳能电池及其制备方法、电源设备，涉及太阳能电池技术领域。在Ge衬底的第二表面生长多结太阳能电池外延层之前，首先在Ge衬底的第一表面生长保护层，来抑制多结太阳能电池外延层外延生长过程中高温环境下Ge衬底中Ge原子向反应腔挥发，基于具有保护层的Ge衬底，再在其第二表面生长多结太阳能电池外延层时，可提高多结太阳能电池外延层的膜层质量，并且由于保护层的设置显然还可以提高其外延生长温度，来减少氧原子的并入，以此综合提高所制备的多结太阳能电池的转换效率等性能。总的来说，本申请技术方案是一种可以在高温外延生长多结太阳能电池外延层时防止Ge原子扩散至外延层的一种外延生长技术。