西安赛富乐斯半导体科技有限公司

本发明公开的MicroLED横向极化场调控结构及其制备方法，属于半导体光电子器件技术领域，解决了现有MicroLED侧壁应力失衡引发横向极化场导致的载流子漂移问题。采用的技术方案包括设置于CMOS背板上的MicroLED外延结构，MicroLED外延结构包括依次设置的p型半导体层、多量子阱发光层及n型半导体层，MicroLED外延结构侧壁对应多量子阱发光层设置有具有预设内应力的极化场调控结构。本发明通过在MicroLED侧壁多量子阱区域引入极化场调控结构，使多量子阱附近应力重新分布，从而降低横向极化场梯度，抑制载流子向侧壁漂移，提高发光效率及器件一致性。