扬州阿特斯光电材料有限公司

本发明公开了一种背接触电池及其制备方法，所述背接触电池包括硅衬底，所述硅衬底包括相对设置的第一表面和第二表面，所述第二表面上设有间隔分布的第一掺杂结构和第二掺杂结构，所述第一掺杂结构包括第一掺杂层，所述第二掺杂结构包括第二掺杂层，所述硅衬底的第一表面形成有第三掺杂层，所述第一掺杂层与所述第二掺杂层掺杂类型相反，所述第三掺杂层与所述第二掺杂层及所述硅衬底的掺杂类型相同。提高了正面的场钝化效果，同时通过扩散工艺实现正面吸杂，减少了电池内部的体复合，提高了开路电压Voc和电流密度Jsc，填充因子FF和电池效率Eff得到了有效提升。