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색인된 특허 기록 1건

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一种基于离子注入还原的氧化镓PIN二极管及制备方法

本发明提供一种基于离子注入还原的氧化镓PIN二极管及制备方法，涉及氧化镓器件技术领域。本发明能够通过将重掺杂n型氧化镓衬底作为N层，在重掺杂n型氧化镓衬底上制备I层，在I层上进行p型离子注入，并利用还原性气体高温退火激活注入离子实现p型掺杂，得到P层。还原性气体通过还原反应将氧化镓内的氧原子析出，使注入的p型离子占据氧的晶格格点，并夺取镓原子的电子，形成空穴，实现p型离子注入掺杂，降低p型掺杂氧化镓制备难度。再制备阴极电极、阳极电极，降低氧化镓PIN二极管的制备难度。

❖中国电子科技集团公司第十三研究所韩仕达; 吕元杰; 王元刚; 刘宏宇; 韩婷婷; 敦少博; 冯志红Oct 27, 2026§ 2/10 청구항H10D 8/01 (2025.01), H10D 8/50 (2025.01), H10D 62/00 (2026.01) +4