元の名称記録: 深圳星火半导体科技有限公司

本申请提供一种存储器管理方法与存储装置。所述方法包括：在响应于目标页的读取指令而执行完整数据读取操作之前，获取目标页的慢变元数据和快变元数据；根据慢变元数据，获取第一电压调整参数；根据快变元数据，获取第二电压调整参数；根据第一电压调整参数与第二电压调整参数，将目标页的读取电压从预设读取电压调整为目标读取电压；根据目标读取电压，对目标页执行所述完整数据读取操作，其中完整数据读取操作是在未针对所述目标页发生历史读取失败的情况下执行的。由此，可提高存储装置的数据读取效能。

本发明涉及存储控制技术领域，特别是涉及一种存储器控制方法、存储装置、介质及计算机设备，设置了三级索引结构，其中，仅一级根表常驻缓存，位运算快速提取索引以减少缓存占用与无效IO开销，通过三级页表的哈希桶缩小查找范围，通过链表解决冲突，固定结构可提升映射效率与系统稳定性；二级块表和三级页表非阻塞加载不占用CPU，节省带宽，提升并发性能与缓存命中率。通过三级索引、链式哈希表、按需加载及位运算的整体方案，从逻辑地址输入到物理地址输出的全流程延迟显著降低，满足高性能存储系统的低延迟需求；三级索引结构支持灵活调整根表、块表、页表的大小，适配不同容量的存储装置，具有良好的可扩展性。