№ CN122942159A発明
不明一种高纯锗单晶提拉生长过程缺陷抑制的控制系统
本发明涉及单晶生长控制技术领域,公开了一种高纯锗单晶提拉生长过程缺陷抑制的控制系统,包括:平均能级控制模块和热场对称性控制模块,用于解耦控制生长炉的平均温度与热场对称性,系统还包括自诊断模块,该自诊断模块利用生长炉旋转部件的旋转同步基准信号,对热场不对称度参数进行同步解调,区分物理不对称与传感器漂移,本发明将平均能级稳定与对称性校正相解耦,避免控制性振荡;同时利用工艺固有旋转特性实现对传感器漂移的在线自诊断,解决控制系统因感知错误而主动制造热应力的技术问题。
❖泸溪蓝天高科有限责任公司杨宇; 李忠华; 张有军; 张海龙Oct 20, 2026§ 1/9 請求項C30B 15/20 (2006.01), C30B 29/08 (2006.01), C30B 15/14 (2006.01) +111