원래 이름 기록: 中微半导体设备（上海）股份有限公司

一种半导体处理设备及其基板支撑结构，基板支撑结构位于半导体处理设备的反应腔内，在基板支撑结构的加热基座下方设置铝延展部，并通过支撑杆实现加热基座和铝延展部之间的机械连接，同时形成射频导电通路，在加热基座因升温发生向外膨胀时，铝延展部也被同步加热，通过控制铝延展部内部的加热功率来使其具有与加热基座相同的膨胀幅度，从而确保铝延展部与加热基座之间的相对位置固定，不会发生相对位移，也就确保了支撑杆提供的机械连接和射频导电通路都是稳固的，提高了射频接地的可靠性，确保射频阻抗的稳定，避免基板上射频电流分布不均，提升了基板处理结果的均匀性，且在基板支撑结构升降的过程中，支撑杆中的导电线无需反复伸展收缩，减少了器件损耗，提高了器件使用寿命。

本发明公开了一种利用等离子体刻蚀设备的处理工艺，包含：将表面沉积了绝缘层的基片放置于等离子体刻蚀设备的反应腔内；通入刻蚀气体，在基片上表面形成凹陷结构；沉积步骤中包括多个工艺循环，每个循环包括交替进行的第一工艺步骤和第二工艺步骤，第一工艺步骤中通入的气体包括含硅气体，第二工艺步骤中通入的气体包括含氧或含氮气体中的任意一种；在第二工艺步骤中，含硅气体和含氧/含氮气体混合形成的沉积气体解离形成的等离子体在基片的凹陷结构内壁上沉积保护薄膜。本发明沉积的保护薄膜质量佳，节约了时间成本和生产成本。