希烽光电科技（南京）有限公司

本发明公开了一种低暗电流的波导式雪崩光电探测器，包括形成有SACM结构的侧向结波导式APD，增加多次掺杂形成一个或两个电场控制区。优点，本发明，电场控制层进行多次掺杂或者加入隔离地，有效降低了吸收区边缘电场，抑制了暗电流；同时包含了第一和第二两个电场控制区结构，同时提出多种离子注入方式，将倍增区的电场主要限制在纵向波导中心区域，极大地抑制了暗电流。

本发明公开了一种层间垂直耦合偏振滤波结构，输入硅波导、层间耦合器、分离波导结构、模式传输及吸收结构和输出硅波导，层间耦合器一端连接输入硅波导，输入硅波导将光纤中的TM和TE两个偏振模式耦合输入，经过层间耦合器将硅波导层中的TM模式转化为薄膜铌酸锂波导层中的TM模式，硅波导层中的TE基模仍为TE模式；再经过分离波导结构将薄膜铌酸锂波导层中的TM模式和硅波导层中的TE模式在垂直方向上进行分离；经过模式传输及吸收结构传输TE模式并吸收不需要的TM模式，最后由输出硅波导输出TE模式。本发明的优点，该结构在保证低插入损耗、高工作带宽的基础上，整体长度仅为数十微米，尺寸较小，利于芯片内集成。

本发明公开了一种波分复用相干光芯片，包括本振端I、平衡探测端、本振端II和调制发射端，本振端I只包含分光器I；平衡探测端包含偏振旋转分束器I、2×4解波分复用器、平衡探测器I和平衡探测器II；本振端II同样只包含了分光器II；调制发射端包含偏振旋转分束器II、4×2波分复用器、信号调制器I和信号调制器II。优点，本发明的波分复用相干光芯片，在传统的相干光芯片架构下引入波分复用器/解波分复用器，仅在一次波导交叉结构的基础上实现波分复用相干光芯片；在不牺牲芯片其他任何性能的前提下，将传统相干光芯片的带宽速率提升一倍。

本发明公开了一种基于PAMS热解牺牲墙的高速光电探测器共晶键合方法，包括如下步骤：S1、晶圆预处理；S2、PAMS薄膜旋涂与固化；S3、光刻显影；S4、干法刻蚀；S5、后处理与划片；S6、PD芯片与TIA芯片共晶键合以及PAMS热解牺牲墙挥发。优点，本发明中的PAMS热解牺牲墙，制备于Au bump工艺之后，完全兼容现有芯片工艺，可在晶圆上批量制备与Au bump高度精确匹配的环形的PAMS热解牺牲墙，共晶键合后可完全去除无残留，显著提高共晶键合的良率和效率，适合大规模量产。