元の名称記録: 宜宾英发德睿科技有限公司

本发明提供TOPCon电池的层结构、钝化膜结构及其制备方法，涉及TOPCon电池制备技术领域，包括硅基底，所述碳基底的上表面设置有正面硼扩散层，所述正面硼扩散层的上表面设置有正面氧化硅钝化层，所述正面氧化硅钝化层的上表面设置有正面氧化铝层，所述正面氧化铝层的上表面设置有正面氮化硅减反层，所述碳基底的下表面设置有背面第一隧穿氧化硅层，所述背面第一隧穿氧化硅层的下表面设置有背面第一非晶硅磷掺杂层，所述背面第一非晶硅磷掺杂层的下表面设置有背面第二隧穿氧化硅层。本发明达到了电池提升了钝化效果和载流子收集能力，使其短路电流和开路电压增益明显，转换效率得到较大提升的效果。