江西万年晶半导体有限公司

本发明公开了一种具备复合钝化层与p‑NiO嵌岛的AlGaN/GaN肖特基二极管及其制备方法，涉及半导体功率器件，包括衬底层、外延层、阴极和阳极区结构，所述衬底层、外延层、阴极和阳极区结构，自下而上排布；外延层包括位于衬底层上方的GaN缓冲层、GaN沟道层以及GaN沟道层上方的AlGaN势垒层，GaN沟道层与AlGaN势垒层界面处形成二维电子气。本发明致力于解决现有GaN基SBD反向漏电大、击穿电压低的问题，其GaN基异质结功率二极管结构新颖、易于加工、具备高阻断电压和极低漏电流。

本发明公开了一种具有高阻帽层的增强型GaN HEMT器件及其制备方法，涉及微电子器件技术领域，包括衬底、依次设置在衬底上的GaN缓冲层、GaN沟道层和AlGaN势垒层，以及设置在AlGaN势垒层上的源极、漏极和位于源漏之间的p‑GaN层，所述p‑GaN层上方设置有高阻渐变碳掺杂GaN帽层，帽层上方设置有栅极，所述高阻渐变碳掺杂GaN帽层中，碳掺杂浓度沿厚度方向自底部向顶部逐渐增大。本发明通过在p‑GaN层与栅极之间引入碳掺杂浓度垂直渐变的高阻帽层，有效提升了栅极正向耐压能力，显著抑制了栅极泄漏电流，同时避免了高浓度碳掺杂对p‑GaN层的补偿失活，保持了良好的阈值电压和导通特性，且本发明的工艺兼容性强，易于量产。

本发明公开了一种冷水机工况平衡系统，包括冷水机、蒸发器、冷凝器和板式换热器,板式换热器具有冷进口、冷出口、热进口和热出口，其中冷进口为冷冻水进水口，冷出口为冷冻水出水口，热进口为冷却水进水口，热出口为冷却水出水口；板式换热器安装于蒸发器和冷凝器的前端，冷水机的冷冻水回水管接往冷进口，再从冷出口接入蒸发器进水口，水流方向自冷冻水回水管至蒸发器进水口，冷冻水回水管至冷进口之间的管道为冷进管道，冷进管道安装有第九手动蝶阀，冷出口至蒸发器进水口之间的管道为冷出管道，冷出管道设有第四手动蝶阀。本发明旨在用最低的成本解决企业冷负荷不够，机组选型偏大造成的机组低负载运行的痛点。