用于在半导体工业中使用的材料的多步骤化学机械抛光方法
本发明涉及一种用于使用平坦化抛光机对平面衬底(Waf)进行抛光的方法(100),所述平坦化抛光机包括布置有抛光垫(Pol.Pad)的支撑板(Pl)、用于对抛光垫进行修整的修整头(Cond.Head)和用于将平面衬底(Waf)保持抵靠于抛光垫的头(Pol.Head),所述方法包括使用修整头(Cond.Head)对抛光垫(Pol.Pad)进行第一次修整的第一步骤(110),其中不对平面衬底(Waf)进行任何抛光操作;对平面衬底(Waf)进行第一次抛光的第二步骤(120),其中不对抛光垫进行任何修整操作;以及第三步骤(130),其中(i)进行平面衬底(Waf)的第二次抛光,同时(ii)进行抛光垫(Pol.Pad)的第二次修整。