索尼半导体解决方案公司

本公开总体上涉及一种像素插值电路，配置为：根据预定像素图案，获得配置为检测红外光的多个第一像素的红外像素值，该像素图案指示该多个第一像素在图像传感器上的位置；基于获得的红外像素值并根据像素图案，生成第二像素的第一插值后的红外像素值，该第二像素在正常操作模式下配置为检测第一颜色的光；以及基于红外像素值和第一插值后的红外像素值并根据像素图案，生成第三像素的第二插值后的红外像素值，该第三像素在正常操作模式下配置为检测第二颜色的光。

本发明减少了暗电流并抑制了量子效率的降低。该光检测装置包括：半导体层，其在一个方向上具有厚度；光电转换区域，其设置在所述半导体层中并由分离区域分隔；和光电转换部，其设置在所述光电转换区域中，并被构造为执行光到信号电荷的光电转换。所述分离区域包括：挖掘部，其设置在所述半导体层中并在所述一个方向上延伸；固定电荷膜，其具有固定电荷并且沿着所述挖掘部的侧面部设置；和金属膜，其在所述挖掘部的内侧沿着所述固定电荷膜设置。

该电子设备包括：解密处理单元，该解密处理单元使用第一公共密钥来解密从主机装置以加密状态发送的会话密钥；加密处理单元，该加密处理单元加密经解密的会话密钥；以及通信单元，该通信单元将经加密的会话密钥发送到主机装置。

根据本公开的实施例的半导体设备包括：多个布线层，每个布线层包括布线；多个接触件，分别设置在多个布线之间；以及电阻变化型或电容变化型的元件，设置在多个布线中的任意布线之间。多个接触件包括下部接触件，该下部接触件位于元件下方并且被配置成连接元件与第一下层布线，第一下层布线是位于元件下方的层中的布线。下部接触件和元件的总厚度大于位于第一下层布线下方的层中的第一下层接触件的厚度，第一下层接触件是连接到第一下层布线的接触件。