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本申请公开了一种氮化铝基复合陶瓷的金属化浆料、其制备方法及氮化铝基复合陶瓷，所述金属化浆料包括75～105份金属相粉体(W粉60～75份、Mo粉15～30份)和10～25份复合添加剂(松油醇85～90份、乙基纤维素10～15份、油酸0.5～2份、硅烷偶联剂10～40份、同源氮化铝粉末100～300份)。通过复合添加剂中松油醇、乙基纤维素、油酸、同源氮化铝粉末与硅烷偶联剂的协同作用，使浆料烧结收缩率能够控制在16～18％，与氮化铝生坯带15～20％的收缩率匹配，解决了收缩失配导致的界面开裂问题。采用该浆料制备的氮化铝基复合陶瓷，金属化层与基体界面结合强度≥25MPa，热导率≥200W/(m·K)，尤其适用于环状及异性氮化铝陶瓷，可广泛应用于大功率半导体封装领域。

本发明涉及一种离子辅助气溶胶沉积陶瓷薄膜涂层的制备方法，所述制备方法使用氩气与氦气的混合气体作为载流气体和电离气体，He原子质量较轻，轻质气体分子运动速度更快，能更有效地将动量传递给待沉积的陶瓷颗粒，有利于提高颗粒的加速效果，使高速颗粒撞击基材的瞬间发生形变，形成致密的结构；而氩气是较重的惰性气体，Ar产生的Ar对涂层的夯实作用较好，提升涂层的致密化，经实验验证，本发明所述方法制备得到的陶瓷薄膜涂层孔隙率小于0.1%，与基材的结合强度为25.6‑30.6MPa，硬度为983.7‑1055.2N/mm，产生相互促进的效果，有助于颗粒界面的融合、致密化。

本发明涉及一种基材活化辅助气溶胶沉积薄膜的制备方法，气溶胶沉积薄膜之前先进行基材的活化，所述基材活化的步骤为在25±1℃、50‑100Pa的压力下，依次进行氩气、氧气、氮气的等离子体活化处理，氩气等离子体活化用于清除表面有机物，去除弱边界层，形成一定的粗糙结构，增加了表面积；氧气等离子体在基材表面生成大量羟基等极性基团；氮气等离子体将基材氮化，生成Al‑N键，提高表面能，形成强界面；经实验证明，相比于未活化的基材，气溶胶沉积后的涂层与基材表面的结合强度从17.2MPa提升至33.5MPa，SEM图显示活化后的基材与涂层之间界面清晰，涂层均匀，孔隙率低。