원래 이름 기록: 中国科学院微电子研究所

本发明涉及一种颞颌关节振动机械波采集与识别系统，属于医疗器械技术领域，包括由传动部件、压电薄膜、固定部件依次层叠构成的传感器组件，贴合人体颞颌关节部位基于采集振动机械波信号生成模拟压电信号，通过连接组件将所述模拟压电信号传输至所述信号传输组件经过信号放大并转化为数字压电信号后，输入所述信号识别组件，所述信号识别组件利用训练好的随机森林模型，基于输入的数字压电信号输出颞颌关节振动机械波是否异常的识别结果。解决了现有技术中颞颌关节检查采集信号可靠性差，并且依赖人工识别准确性和客观性有局限的问题。

本公开提供一种测量并提升光子晶体光纤中种子光耦合效率的装置及方法，装置包括：种子源、种子光耦合模块、光子晶体光纤、泵浦光耦合模块、测量模块和调整模块，测量模块包括CCD相机和功率计。CCD相机用于实时获取光子晶体光纤的输出端放大后的端面近场光斑；功率计用于测量光子晶体光纤输出激光的功率大小。调整模块确定所述端面近场光斑的纤芯区域功率和总功率，计算芯包比，调整所述种子光耦合模块，以将所述芯包比调整至最大，则所述光子晶体光纤中种子光耦合效率达到最大。本申请可以通过CCD相机对光纤输出光斑进行实时成像与分析，直观呈现耦合状态，避免因小孔定位误差和对准偏差带来的测量不确定性，从而准确提升种子光的有效耦合效率。

本发明公开一种MOS晶体管栅极小信号电容测试方法、装置、设备及介质，涉及半导体技术领域，MOS晶体管栅极小信号电容测试方法，包括：基于目标MOS晶体管的含有射频GSG PAD的测试件，构建三种含有射频GSG PAD的标准件；标准件基于测试件的输入GSG PAD和输出GSG PAD构建；基于三种标准件的散射参数的测试数据，确定输入GSG PAD和输出GSG PAD的散射参数；对散射参数进行传输参数变换，得到输入GSG PAD和输出GSG PAD的传输参数；基于输入GSG PAD和输出GSG PAD的传输参数，以及测试件的传输参数，确定目标MOS晶体管的实际传输参数；将目标MOS晶体管的实际传输参数进行导纳参数变换，得到目标MOS晶体管的导纳参数；对目标MOS晶体管的导纳参数在频域求平均，确定目标MOS晶体管栅极小信号的电容。

本申请提供了一种光纤偏振控制优化方法、装置、计算机设备和存储介质，涉及光波导技术领域。该方法包括：基于不同波长下的输入偏振态分布和保偏光纤的穆勒矩阵，计算各波长经保偏光纤传输后的输出偏振态；将各波长的输出偏振态映射至庞加莱球，通过各波长的输出偏振态在庞加莱球球面上的空间分布特征，对输出偏振态的一致性进行量化评估，得到一致性评价函数；以一致性评价函数最小化为目标，通过智能优化算法求解得到最优光纤长度，其中，一致性评价函数最小化表征多波长的输出偏振态在庞加莱球上的距离全局最小化。

本申请公开了一种多值单元编程电路，设置于非易失性存储器中。该电路包括：基准电流生成单元，用于接收基准电压，并将基准电压转换为基准电流；多值电流生成单元，用于基于控制器发出的多值电流选取信号，将基准电流转换为设置电流；存储器单元选择器，用于基于控制器发出的存储单元选取信号，确定待操作的存储单元；折叠电流镜写驱动单元，用于将设置电流转换为写驱动电流；存储器阵列，包括多个存储单元，用于通过写驱动电流改变待操作的存储单元的存储状态，以写入数据。上述电路可以提高输出电流的线性度，特别是对于高写入值所对应的大电流。基于此，上述电路可以减轻传统电流镜多值写操作中的大电流线性度降低的问题，从而降低存储错误率。

本发明公开一种刻蚀装置和刻蚀方法，涉及工艺制造技术领域，以提高刻蚀装置对待刻蚀对象的刻蚀精度和刻蚀均匀性，提高刻蚀良率。刻蚀装置包括反应腔室、阻挡结构、等离子体激发源、供气结构和支撑结构。阻挡结构设置在反应腔室内，用于将反应腔室分隔为上腔室和下腔室。第一工艺气体通道设置于上腔室，第二工艺气体通道设置于下腔室。等离子体激发源设置在上腔室内。阻挡结构包括至少一个过滤部，以阻挡上腔室内的带电粒子进入下腔室并使中性粒子通过。供气结构的入口与第二工艺气体通道连通，用于向下腔室内通入第二工艺气体。供气结构上设置有沿厚度方向贯穿的通孔。中性粒子和第二工艺气体均用于刻蚀去除待刻蚀结构。

本申请提供了一种可变频数字电源脉冲宽度调制控制器和调制控制方法，控制器包括：时钟管理模块用于生成第一时钟信号、第二时钟信号、第三时钟信号和第四时钟信号；通信模块用于根据第一时钟信号，接收上位机发送的比例参数、积分参数、微分参数和目标值；AD转换模块用于根据第二时钟信号，从buck电路采集电压数据，并将电压数据转化成数字波形数据；PID控制模块用于基于增量式PID补偿算法，确定控制量；DDS发生模块用于根据第四时钟信号和控制量，产生特定占空比的数字波形数据；DA转换模块用于根据第三钟信号，将特定占空比的数字波形数据转化成模拟信号，并发送给buck电路。本申请提供的技术方案解决现有技术中控制精准度受限于芯片性能的问题。

本发明公开一种锗硅键合型光电器件及制备方法，本发明光电器件至少包括锗硅键合衬底，所述锗硅键合衬底为在第一设定压力和第一设定温度下使用非金属快原子束轰击锗衬底和硅衬底形成，使其表面活化增强键合能力，所述光电器件的结构包括锗硅键合型PIN探测器，其结构包括但不限于锗硅键合衬底、有源区电极、第一背面电极、第一钝化接触层；所述光电器件还包括锗硅键合型硅漂移探测器，其结构包括但不限于锗硅键合衬底、漂移电极、集电电极、第二背面电极、第二钝化接触层。与传统的硅衬底或锗衬底的PIN探测器和硅漂移探测器相比，本发明的光电器件将锗的高能量分辨率和散射能力与硅的较低噪声和较高探测效率相结合，以实现更好的探测性能。

本发明公开了一种在线工艺过程中的波导损耗异常的验证方法，该方法中通过I CP‑MS在线监测系统重点监控预设工艺节点的沾污物质浓度，当沾污物质浓度大于预设浓度时拦截晶圆的流转，避免后续沾污物质扩散导致的非线性损耗激增。所述方法包括在预设工艺节点，通过I CP‑MS在线监测系统测试晶圆表面的沾污物质浓度；其中，所述预设工艺节点包括热处理前、热处理后和异质材料沉淀后；当所述沾污物质浓度大于预设浓度时，拦截所述晶圆的流转。

本公开提供了一种铁电电容介质层的缺陷信息提取方法，包括：对待测铁电电容进行预设次数的极化状态翻转；向待测铁电电容两端施加按照预设步长逐渐增加的阶梯电压，并得到每段阶梯电压下待测铁电电容的漏电流；根据每段阶梯电压的漏电流，确定每个漏电流的相关响应区域；确定所有相关响应区域的缺陷浓度，并根据缺陷浓度对相关响应区域进行赋值处理，以得到待测铁电电容的缺陷信息。本公开通过对铁电电容在逐渐增加的阶梯电压下的漏电流的检测，分析铁电电容在完整的电压施加过程中缺陷所在的相关响应区域的变化，结合缺陷浓度对相关响应区域进行赋值处理，得到每个相关响应区域的缺陷对漏电流的贡献程度，达到更完整地分析器件失效行为的目的。

本申请属于半导体器件技术领域，具体涉及一种环栅堆叠半导体器件及其制备方法。该器件通过增加光刻、选择性刻蚀与生长步骤，在漏端和沟道交叠区域形成与沟道同类型、与源漏相反类型的重掺杂，由此抑制漏端掺杂向沟道扩散同时抑制该区域隧穿漏电。通过该方法，减少漏端隧穿漏电的同时对源端载流子迁移率不产生任何影响，从而有利于获得高开关比器件。

本申请实施例提供一种二进制线性码的译码方法、装置及存储介质，包括：接收信道软信息以及获取校验矩阵，对信道软信息进行硬判决，得到接收序列和校验子，若校验子的值不为零向量，根据信道软信息的可靠性对接收序列和校验矩阵进行排序，得到排序后的接收序列和校验矩阵。根据逻辑权重生成的测试错误模式对应的排序后的校验矩阵的列元素以及校验子进行异或运算，得到测试错误模式校验子，若测试错误模式校验子的值均不为零向量，利用扰动噪声对信道软信息进行扰动，重复执行对信道软信息进行硬判决，得到接收序列和校验子及其后续的过程。本申请提供的译码方法译码复杂度总体较低，并且不依赖于线性码的结构，具有良好的通用性。

本发明公开面向先进节点的半导体结构的制备方法和半导体结构，涉及半导体制备技术领域，以解决现有技术中在制备面向先进节点的半导体结构时，制备流程繁琐且结构图形边缘质量恶化的问题。方法包括：在底层结构上形成叠层；在掩膜层表面形成初始图形，并将初始图形转移至掩膜层和目标层，在目标层上形成与初始图形尺寸一致的目标层的初始结构化图形；采用远程等离子体刻蚀机，对目标层的初始结构化图形进行各向同性刻蚀，将目标层的初始结构化图形缩小为目标尺寸图形；其中，目标层对停止层的刻蚀速率之比大于或者等于预设比值；最终形成目标半导体结构。本发明用于提高面向先进节点的半导体结构的制备效率和图形质量。

本公开涉及光学检测技术领域，具体涉及一种反射率快捷测量装置，包括：齿轮组件，齿轮组件包括镜片驱动齿轮、延长摆臂驱动齿轮和旁置转换齿轮，延长摆臂驱动齿轮活动套设在镜片驱动齿轮上部，镜片驱动齿轮、延长摆臂驱动齿轮的中轴线重合；旁置转换齿轮包括上层齿轮和下层齿轮；镜片驱动齿轮与旁置转换齿轮的下层齿轮啮合，延长摆臂驱动齿轮与旁置转换齿轮的上层齿轮啮合；镜片驱动齿轮的齿轮数、延长摆臂驱动齿轮的齿轮数、旁置转换齿轮的上层齿轮的齿轮数之间的数量比为2:1:1；延长摆臂，延长摆臂一端与延长摆臂驱动齿轮上部相连接，延长摆臂另一端设有用于测量光束能量的功率计；镜片组件，镜片组件底部与镜片驱动齿轮顶部相连接。

本发明公开微腔光学频率梳及其结构参数确定方法，涉及光学频率梳技术领域，以解决现有技术中传统光学频率梳结构调控维度有限，且现有设计方法难以高效、精准地实现光谱需求与结构参数的匹配的问题。微腔光学频率梳包括：输入输出波导和光栅辅助嵌套微环腔；输入输出波导与光栅辅助嵌套微环腔耦合；光栅辅助嵌套微环腔包括外微环、内微环和光栅；光栅形成于外微环或者内微环上；外微环与内微环耦合并形成嵌套谐振结构；光栅辅助嵌套微环腔对应的结构参数基于训练完成的反向神经网络预测并经过光场稳态验证得到；训练完成的反向神经网络基于前向神经网络得到。本发明用于实现微腔光学频率梳的高效、精准设计，满足目标光谱需求。

本申请公开了一种脉冲神经网络的在线训练方法及相关产品，可应用于人工智能技术领域，该方法包括：基于基础脉冲神经网络中每一层神经元单元的累计资格迹和固定辅助头确定所述基础脉冲神经网络中每一层神经元单元的特征向量；基于所述特征向量确定所述基础脉冲神经网络中每一层神经元单元的局部损失；基于所述局部损失对所述基础脉冲神经网络中每一层神经元单元进行参数优化，并得到训练好的目标脉冲神经网络。如此，引入资格迹，通过局部损失对基础脉冲神经网络中每一层神经元单元进行参数优化，使脉冲神经网络在时间维度和空间维度上完全解耦，提高了训练效率。

本申请公开了一种光电封装工艺进行光口保护的方法，涉及半导体制造技术领域，通过键合将玻璃与带有空腔的光芯片相结合，形成玻璃空腔结构，由于玻璃具有高耐热和高结构强度的特性，能够承受高温和气压，不会在后续光的真空工艺过程中破裂，能够有效避免光口污染，显著降低光耦合损耗。该方法包括：通过键合将玻璃与带有空腔的光芯片相结合，形成玻璃空腔结构，玻璃空腔结构中光芯片位于底层层，玻璃位于顶层；将玻璃空腔结构形成光口保护层，按照设计顺序在光口保护层上沉积多个覆盖层；对每个覆盖层进行至少一次图形化工艺，以使得覆盖层上暴露出光电封装关键结构；将光电封装关键结构进行对齐叠加，得到具有光口保护功能的光电封装结构体。