安徽长飞先进半导体股份有限公司

本申请公开了一种沟槽型功率半导体结构、制备方法及功率芯片，属于功率半导体技术领域。沟槽型功率半导体结构包括：半导体本体，包括第一表面、第一区域和掩埋区，第一表面设有栅极沟槽，栅极沟槽从第一表面延伸至半导体本体中，掩埋区位于第一区域远离第一表面的一侧，且掩埋区与第一区域接触布置；栅极结构，位于栅极沟槽内；其中，掩埋区在第一表面上的第一正投影与第一区域在第一表面上的第二正投影至少部分重叠，且与栅极沟槽在第一表面上的第三正投影不完全重叠，掩埋区的导电类型与第一区域的导电类型相同。降低栅极沟槽底部的栅极结构所承受的电场强度，提高器件可靠性。

本申请公开了一种半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆。该方法包括：提供半导体本体；半导体本体包括相对设置的第一表面和第二表面；半导体本体还包括阱区、源区和第一区域，源区设置为第一导电类型，第一区域设置为第二导电类型，阱区设置为第二导电类型；第一表面设置有第一凹槽和第二凹槽，在厚度方向上，第二凹槽与第一凹槽连通设置，且具有第一侧面；第一侧面呈台阶状，暴露第一区域和部分源区；在第一表面形成栅极；在第一凹槽和第二凹槽内形成欧姆接触层，并在第一表面形成源极；欧姆接触层与第一侧面相接触。本申请实施例可有效缩小半导体器件的单胞尺寸，且保证器件具有良好的欧姆接触。