元の名称記録: 富芯晶圆制造（深圳）有限公司

本发明实施例涉及半导体材料制备技术领域，公开一种高纯度碳化硅及其制备方法。该高纯度碳化硅制备方法包括如下步骤：将碳化硅原料投入坩埚装置内的原料区域，并将坩埚装置抽至真空，向真空状态的坩埚装置内输入惰性气体至工作气压为100Pa~200 Pa，加热进行反应；其中，坩埚装置的底部为原料区域，坩埚装置的底部和顶部之间依次设置有过滤层和结晶层；其中，坩埚装置对应于原料区域的温度为2350~2400℃，结晶层的温度为2200℃~2260℃，坩埚装置顶部的温度为2290℃~2350℃，加热处理时间为50h~80h。该制备方法能够得到纯度高、颗粒均匀、结晶形态好、具有明显晶面的碳化硅。

本发明涉及一种半绝缘碳化硅晶体生长装置及其工艺方法，涉及半导体材料制备技术领域，该半绝缘碳化硅晶体生长装置包括生长腔室、设置在生长腔室上部的籽晶固定结构以及设置在生长腔室下部的原料容纳区，还包括排气阻隔部，排气阻隔部设置在原料容纳区中，排气阻隔部的表面设有微孔结构，排气阻隔部的内部设有连通原料和腔室上部的气体扩散通道，排气阻隔部通过微孔结构与气体扩散通道的协同作用，使原料中析出的杂质气体定向扩散至生长腔室的上部并排出。本发明公开的一种半绝缘碳化硅晶体生长装置及其工艺方法，能够有效去除原料中所含的杂质气体元素，如B、N等，从而进一步提高半绝缘碳化硅晶体的电阻率。