深圳市美浦森半导体有限公司

本发明涉及碳化硅技术领域，尤其涉及一种基于原位缺陷愈合的碳化硅晶体退火方法及系统，包括：对原始碳化硅衬底进行缓冲层构建，得到缓冲碳化硅晶体，利用退火任务评价函数构建最优退火参数集，基于最优退火参数集对缓冲碳化硅晶体进行缓冲层暴露判别，得到暴露判别结果，根据暴露判别结果对缓冲碳化硅晶体进行暴露处理，得到待退火碳化硅晶体，利用最优退火参数集对待退火碳化硅晶体进行缓冲层退火处理，得到目标碳化硅晶体。本发明可提高退火参数与退火任务目标的匹配度，降低退火后碳化硅晶体的缺陷密度。