上海乐瓦微电子科技有限公司

本发明公开了一种面向先进制程的MOS晶体管自热效应抑制方法，涉及MOS晶体管技术领域，其技术方案要点包括以下步骤：获取目标MOS晶体管的版图布局及高功耗发热主区域，在目标MOS晶体管的有源区边界标记基准热检测点；检测高功耗发热主区域得到基准结温值；将有源区的几何尺寸、基准热检测点以及温差差值进行处理分析得到热衰减关联因子；根据结温峰值及单位时间发热频次得到综合自热损伤因子，基于综合自热损伤因子以及参考器件损耗数据库评估当前器件损耗预测值；若当前器件损耗预测值超过预设阈值，效果是自动发出预警并且匹配对应的优化散热布局方案。