№ CN122918716A发明专利
未知III族氮化物半导体的制造方法
本发明提供一种能够得到结晶品质优异的高电阻的III族氮化物半导体的III族氮化物半导体的制造方法。该III族氮化物半导体的制造方法中,将使III族金属熔化在助熔剂中而得的熔液保持在坩埚(103)中,并向熔液中供给含氮气体来培育III族氮化物半导体。而且,在III族氮化物半导体的制造方法中使用的坩埚(103)以氧化铝为主成分,并且含有P型掺杂剂。
❖丰田合成株式会社八川春香; 藤森拓; 守山实希Oct 16, 2026§ 1/9 权利要求C30B 29/40 (2006.01), C30B 9/12 (2006.01)25