№ CN121321202A発明
有効一种高纯氮化铝单晶粉体的制备方法
本发明公开了一种高纯氮化铝单晶粉体的制备方法。所述方法将原料铝粉和氮化铝粉按配比混匀后,置于气压烧结炉中,抽真空后通入高压氩气,升温至设定温度后通入氮气发生燃爆反应,随后冷却至室温,经破碎后得到D50=20‑200μm的高纯氮化铝单晶粉体。本发明利用铝粉在高温高压氮气中的快速氮化燃爆反应,实现粗颗粒高纯氮化铝单晶粉体的合成,具有工艺简单、制备成本低的特点,制备的高纯氮化铝单晶粉体,可用作电子封装高导热填料。
❖江苏联瑞新材料股份有限公司李晓冬; 曹家凯; 徐娜; 于兴强; 董兴达§ 1/10 請求項C30B 1/12 (2006.01), C30B 29/40 (2006.01)