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색인된 특허 기록 1건

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一种基于磁控溅射的SiC芯片表面镀铜工艺

本发明公开了一种基于磁控溅射的SiC芯片表面镀铜工艺，属于功率半导体芯片封装金属化镀膜技术领域，该工艺对设有铝电极层的SiC芯片进行分区保护后，采用磁控溅射方式在裸露的电极功能区依次沉积镍缓冲层与铜功能层，形成铝电极层、镍缓冲层与铜功能层依次层叠的复合金属化结构，本发明镀层内应力低，不会造成芯片翘曲，层间结合牢固，避免键合脱落及绝缘层击穿，且工艺流程简化、设备与原材料投入减少、批量一致性好，适用于SiC功率芯片的铜引线键合封装。

❖合肥中恒微半导体有限公司周灿; 袁磊; 邱道权Oct 16, 2026§ 2/9 청구항C23C 14/35 (2006.01), C23C 14/16 (2006.01), C23C 14/04 (2006.01) +235