元の名称記録: 上海新微半导体有限公司

本发明提供一种GaN HEMT器件及其制造方法，包括：对应于GaN HEMT器件的场板区域设置至少一个导热孔，该导热孔从器件背面向上延伸，停止于器件表面钝化层的下表面，所述导热孔内形成有导热材料，可以将热量从器件的发热核心传导至外部。本发明提供的GaN HEMT器件，有效提升了GaN HEMT器件的散热能力，降低了自热效应对载流子迁移率的影响，避免了饱和漏电流和跨导的下降，同时减少了栅极漏电流和热电子损伤，提高了器件的可靠性和寿命。

本发明提供一种高电子迁移率晶体管及其制备方法，利用石墨烯场板采代替传统的金属场板，石墨烯材料相对于金属材料，其载流子迁移率更高，其电阻尤其在高频状态下远低于金属材料，可以降低器件的电阻损耗，金属场板因表面粗糙度和应力的关系，对于场板下方的介质层厚度有一定要求，而石墨烯为二维材料，与介质可以紧密接触不存在缺陷，因此场板下方的介质层厚度可以做到更薄，从而降低栅漏电容，另外，石墨烯为二维材料，可以避免场板侧壁引入边缘电场，从而可以减少栅漏电容的寄生分量。

本发明提供一种光电探测器及其制备方法，通过设置自P电极接触层表面向内延伸至吸收层内部的微纳孔，以减少光电探测器的结体积，降低结电容，从而在不改变吸收层厚度的情况下有效提升光电探测器的RC限制带宽，保证光电探测器在保持高响应度的同时提升光响应速度；另外，光线入射进入微纳孔中时会产生衍射和光学共振现象，能有效提升光学耦合效率，从而达到高量子效率，进一步提高响应度。