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本公开涉及使用电阻式随机存取存储器（RRAM）器件的交叉开关电路。交叉开关电路可以包括与多个位线相交的多个字线，和多个交叉点器件。每个交叉点器件连接到所述字线中的一个和所述位线中的一个，并且包括电阻式随机存取存储器（RRAM）器件。所述交叉开关电路进一步包括一个或多个电流模式数模转换器（IDAC），其被配置为执行数模转换。所述IDAC选择性连接到所述字线或所述位线以提供编程信号以将所述RRAM器件编程到预定电导值。所述IDAC可以线性控制所述RRAM器件的顺应电流以将所述RRAM器件编程到多个线性分离的电导值。

本公开涉及一种电阻式随机存取存储器（RRAM）器件。RRAM器件可以包括第一电极、在所述第一电极上制造的第一界面层、包括至少一种过渡性金属氧化物的切换氧化物层和在所述切换氧化层上制造的第二电极。所述界面层可以包括介电材料的不连续层和沉积在所述介电材料的不连续层中的导电材料。所述界面层位于所述第一电极和所述切换氧化物层之间。所述介电材料可以是和/或包括AlO、SiO、SiN、MgO、YOGbO、SmO、CeOErO或LaO等。所述导电材料可包括金属、导电氧化物、导电氮化物等。