元の名称記録: 美格纳半导体有限公司

本申请涉及超结半导体装置及其制造方法。该超结半导体装置，包括：基板；有源单元，所述有源单元设置在所述基板上；边缘终止区域，所述边缘终止区域被配置成围绕所述有源单元；外围区域，所述外围区域被配置成围绕所述有源单元并且设置在所述有源区域与所述边缘终止区域之间；第一导电型柱和第二导电型柱，所述第一导电型柱和所述第二导电型柱交替地设置在所述有源单元、所述外围区域和所述边缘终止区域中；水平形状的第二导电型柱区域，所述水平形状的第二导电型柱区域设置在所述外围区域和所述边缘终止区域中的所述第二导电型柱上；以及第二导电型电荷共享区域，所述第二导电型电荷共享区域设置在所述水平形状的第二导电型柱区域上。

本公开内容提供了具有肖特基接触结构的功率半导体器件。该功率半导体器件包括：在第一方向上以预定的间隔间隔开的栅极区；定位在栅极区之间的第一导电型的高掺杂源极区；设置在第一导电型的高掺杂源极区上的源极接触区；在与第一方向相交的第二方向上以预设的间隔隔开的第二导电型的多个埋入式柱区；以及形成在第二导电型的多个埋入式柱区与栅极区相交的点处的肖特基接触区。