一种近红外非线性吸收可调控的Nd掺杂二硫化钼及其制备方法
本发明提出了一种近红外非线性吸收可调控的Nd掺杂二硫化钼及其制备方法,属于纳米材料的技术领域,用以解决MoS近红外光电性能差的技术问题。本发明Nd掺杂二硫化钼及其制备方法包括以下步骤:将钼源、硫源、钕源和还原剂溶解到溶剂中制备反应液,经溶剂热反应,制得Nd掺杂二硫化钼纳米材料。本发明所制备的MoS纳米片因富含VS,其带隙降至0.75 eV,显著低于本征MoS的标准带隙(1.28‑1.98 eV),从而成功实现1064 nm波长处的非线性光学响应,并表现为SA效应,可应用于饱和吸收体、光开关及激光锁模器等器件。进一步地,通过引入Nd掺杂,实现了非线性吸收行为随光强变化由SA向RSA的可控转换。