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本发明涉及半导体材料制造领域，具体是一种分子束外延异质基HgCdTe材料及其制备方法。本发明针对现有异质基HgCdTe分子束外延技术中的位错密度较高与Se原子扩散失控的双重缺陷，通过设计HgSe超晶格结构触发位错反应并进一步构建As掺杂HgTe扩散封锁层，最终使得所述分子束外延异质基HgCdTe材料能够满足高工作温度（≥150 K）红外探测器对低位错密度、零Se扩散及高稳定性的核心要求，解决了由于分子束外延异质基HgCdTe的位错密度较高而引发器件暗电流剧增和盲元率上升的问题以及含Se的外延结构Se扩散失控的问题。

本申请芯片性能检测领域，公开了一种探测器芯片性能测量装置和方法，装置包括：具有凹槽的测试底座，凹槽用于容纳待测试的探测器芯片和冷却介质；位于凹槽中的样品台，用于放置探测器芯片；温度测量计，用于测量探测器芯片所处的温度；参数分析仪，用于与探测器芯片连接，并在冷却介质移走后，探测器芯片所处的温度达到工作温度时采集探测器芯片的参数。本申请中利用冷却介质先降温，在冷却介质移走后，利用温度缓慢升高的方式，测量探测器芯片的参数，不需要将探测器芯片封装在杜瓦结构内测试，避免了杜瓦封装排气及耦合制冷机等繁琐的工艺过程，测试过程简单，不需要大量的人员参与测试，并且测试时间缩短，测试效率极大提升。